Samsung hibrit çipini tanıttı: Ram ve Flash bir arada

Güney Kore merkezli teknoloji devi Samsung, bugün LPDDR5 UFS tabanlı çoklu çip paketini ya da kısaca uMCP adlı en yeni bellek çözümünü tanıttı. İşte detaylar;

LPDDR5 RAM ve UFS 3.1 NAND flash'ı tek bir yonga üzerine entegre ederek orta sınıf bir yonga setine sahip bir akıllı telefonda amiral gemisi düzeyinde performans sunmayı vaat ededen bu teknoloji dikkatleri üzerine çekiyor.

Samsung Galaxy S21 FE performans testine girdi

Samsung'dan uMCP LPDDR5 Bellek Teknolojisi: Flash ve RAM Aynı Çipte

Son dönemlerde akıllı telefonlarının yanı sıra işlemcileriyle de ön plana çıkmayı başaran Samsung yeni teknolojiler üzerinde çalışmaya devam ediyor. Bugün yeni yonga setini tanıtan şirket dikkatleri üzerine çekmeyi başardı. Samsung Bellek Ürün Planlama Ekibi Başkan Yardımcısı Young-soo Sohn, Samsung'un LPDDR5 uMCP'sinin tüketicilerin "daha düşük seviyeli cihazlarda bile kesintisiz akış, oyun ve karma gerçeklik deneyimlerinin keyfini çıkarmasını sağlayacağız” dedi.

Samsung kamera için ortaklık değişimine gidebilir

Bu PR konuşması her ne kadar imkansız gibi gelse de şirket bu teknolojiyi tasarlamış durumda. Kısaca bu basitleştirilmiş iç mimari sayesinde bu çip üreticilerin telefonlarını daha ucuz ve daha hızlı hale getirmeleri mümkün olacak. Samsung, DRAM performansında yüzde 50 artış – 17 GB/sn'den 25 GB/sn'ye – ve NAND flash performansında ise LPDDR4H tabanlı UFS 2.2 depolamayla karşılaştırıldığında 1,5 GB/sn'den 3 GB/sn'ye iki katına yükseliş olacağı söyleniyor.

Geliştirilen bu çip sadece 11,5 x 13 mm ölçüde ve bu da diğer dahili parçalar için daha fazla alan yaratacakt. Samsung, üretici gereksinimlerine göre farklı kapasiteler uyarlayabilecek – DRAM, 6GB ile 12GB arasında herhangi bir yerde olabilirken, depolama alanı desteği 128GB ile 512GB arasında da değişiklik gösteriyor. Şirketin bu çipi ilereyen dönemlerde geliştireceği telefonlarda kullanması bekleniyor.

Samsung Galaxy S21 FE üretimleri durduruldu

Samsung Galaxy S22 kamera konusunda iddialı geliyor